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            SEMIKRON赛米控IGBT??榈拿嬖?/h1>
            日期:2021-11-22 17:22
            浏览次数:1145
            摘要: 举例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示应用技术或者??榻峁梗? M——表示采用MOS技术 D——表示七单元??椋椿ハ嗾髑?1CBT斩波器) 100 表示集电极电流等级,条件Tcase =25℃时的Ic,单位为A G 表示IGBT开关 B 表示线路的类型或者特点: A——表示线路为单只开...
            举例:                         SKM100GB123D
            SK SK表示SEMIKRON的IGBT
             M 表示应用技术或者??榻峁梗?br> M——表示采用MOS技术
            D——表示七单元??椋椿ハ嗾髑?1CBT斩波器)
            100 表示集电极电流等级,条件Tcase =25℃时的Ic,单位为A
            G 表示IGBT开关
              B 表示线路的类型或者特点:
            A——表示线路为单只开关
            AL——表示线路为斩披器??椋碔GBT+集电极端续流二极管)
            AR——表示线路为斩波器??椋?nbsp;1GBT+发射极端续流二极管)
            AH——表示线路为非对称H 桥
            AX——表示线路为单只IGBT+集电极端串联二极管(反向阻断)
            AY——表示线路为单只IGBT+发射极端串联二极管(反向阻断)
            B——表示线路为两单元??椋ò肭牛?br> BD——表示线路为两单元??椋ò肭牛?串联二极管(反向阻断)
            D——表示线路为六单元(三相桥)
            DL——表示线路为七单元(三相桥+AL斩波器)
            H——表示线路为单相全桥
            M——表示线路为两只lGBT在集电极端相连
            12 表示集电极与发射极间电压等级( VCE为型号中的数字×100,例如12× 100V= 1200V= VCE)
            3 表示IGBT的系列号:
            0——表示第1代产品(1988 ~ 1991 年,集电极额定电流为Tcase =80℃时的值)
            1、2——表示笫l代产品(1992~1996 年,集电极额定电流为Tcase =25℃时的值。600V产品为集电极I额定电流Tcase =80℃时的值
            3——表示第2代产品(600V与1200v为高密度NPT型IGBT。1700V为第1代NPT型IGBT+ CAL二极管。600V产品为集电极额定电流为Tase=80℃时的值。1200V与1700V产品为集电极额定电流为Tcase=25℃时的值
            4——表示高密度、低饱和压降NPT型IGBT( 1200V、I700V)
            5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
            6——表示沟道式NPT型IGBT
            D 表示为特点:
            D-表示快速恢复二极管
            K——表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端予
            L——表示六单元外壳带焊接端子
            S——表示集电极检测端子
            I——表示加强的反向二极管(高功率输出)
            赛米控的IGBT的命名方法与规律2见表2。
            举例:          SK 100 G B 12 3×
            SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
            100 表示集电极电流等级,条件Tcase= 25℃时的Ic,单位为A。
            G 表示应用技术或者??榻峁梗?br> G——表示IGBT开关
            M——表示MOSFET开关
            B 表示线路的类型或者特点:
            A——表示线路为单只开荚
            AL——表示线路为斩波器??椋?nbsp;IGBT+集电极端续流二极管)
            AR——表示线路为斩波器??椋?nbsp;IGBT+发射极端续流二极管)
            AH——表示线路为非对称H 桥
            B——表示线路为两单元??椋ò肭牛?br> BD——表示线路为两单元??椋ò肭牛?串联二极管(反向阻断)
            D——表示线路为六单元(三相桥)
            H——表示线路为单相全桥
            12 表示集电极与发射极闯电压等级(VCE为绝号中的数字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
            3 表示IGBT的系列号:
            2——表示PT型(仅600V产品)
            3——表示高密度NPT型产品
            4——表示高密度、低饱和压降 NPT型ICBT
            5——表示高密度、高速NPT型IGBT
            × 特点(没有定义)
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